還在觀望內(nèi)存降價?SK海力士已經(jīng)完成了首顆DDR5-6400內(nèi)存芯片的開發(fā)
徐偉杰 / 2019-02-22 19:32146534仿佛昨天才過去不久,DDR4替代DDR3那一年的記憶還未模糊,DDR5內(nèi)存就已經(jīng)要來了。
在舊金山舉辦的國際固態(tài)電路會議上,SK海力士發(fā)布了自家首顆DDR5-6400內(nèi)存芯片。SK海力士的DDR5內(nèi)存芯片基于1y nm制程工藝生產(chǎn),面積為76.22mm2,針腳速度6.4Gb/s,電壓1.1V,單片容量16Gb(2GB)。
事實上,目前DDR5的正式標(biāo)準尚未敲定。目前普遍認為DDR5相較DDR4除了更高的頻率和更低的功耗外,還將具備兩倍于DDR4的內(nèi)存帶寬,更大的容量密度,以及更高的總線效率。
目前除了SK海力士,美光和三星都有自己的方案,在JEDEC的DDR5正式標(biāo)準敲定之后,成品的內(nèi)存條也將面世,這一時間節(jié)點預(yù)計最快也要到今年年底了。
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