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現在市面是的SSD都采用了3D NAND存儲技術，與2D NAND 相比，3D NAND 能夠實現更高的容量和性能、更低的功耗和成本，這也是為什么眾多廠商都在積極研發和推出更高層數的3D NAND產品。而全球閃存大廠美光近期宣告了自己最新的第五代 3D NAND閃存技術，堆疊層數達到176 層。

美光176 層 NAND 支持的接口速度為 1600MT / s，高于其 96 層和 128 層閃存的 1200MT / s。與 96L NAND ，相比之下，讀寫延遲降低了35% 以上，與 128L NAND 相比，降低了25% 以上。與使用 96L NAND的UFS 3.1模塊相比，美光芯片的總體混合工作負載降低了約15%。

美光表示其 176 層 3D NAND 已開始批量生產，并已在某些英睿達的消費級 SSD 產品中出貨。

而其他廠商，三星正在開發176層第七代V-NAND，計劃明年4月實現量產，SK 海力士也正在進行176層3D NAND的研發。至于英特爾，之前是計劃在今年年底實現更高層數144層產品的量產，但不知道英特爾出售閃存業務是否會影響到技術量產。