讀取帶寬達1.6TB/s!閃迪開建高帶寬閃存HBF產線,計劃明年投產
拖把 / 2026-04-13 17:02203903在這次內存與存儲漲價大潮中,內存方面領漲的產品是高帶寬內存(HBM),存儲方面領漲的產品則是NAND閃存。那么NAND閃存能像HBM那樣堆疊起來,提供更大的存儲容量嗎?能的,這項技術就是閃迪在去年2月發布的高帶寬閃存(HBF)。

據韓媒Etnews報道,閃迪已經在著手準備生產HBF的材料、組件和設備供應鏈,并搭建生產線。
有業內高層人士表示,閃迪正與相關企業接洽合作事宜,計劃于下半年引進主要生產設備,并稱部分企業已開始商討采購訂單(PO)事宜。預計在同樣今年下半年完成試產線的建設、年底前投入運行并推出原型產品,明年實現量產,而產線的熱門候選地之一是日本。

HBF的核心原理與HBM相似,都是通過堆疊16個3D NAND閃存芯片的方式來實現更大的容量和更強的性能,以此助力AI計算的發展。得益于總體一致的技術,HBF有望媲美HBM的帶寬性能。


在HBF技術路線圖上顯示,初代HBF的系統級性能與“無限容量版”的HBM的差距在2.2%以內,讀取帶寬達1.6TB/s。而后續的2代、3代產品的讀取帶寬將達到2TB/s和3.2TB/s,對應的單疊層容量、能效都有進一步提升。

當下,閃迪、SK海力士、三星等各大存儲生產商陸續投身HBF研發,市場正在關注HBF的性能能否與炙手可熱的HBM相媲美。
由于HBM和HBF的制造工藝沒有顯著差異,所以產線的搭建過程也非常快。業內人士表示,目前在HBM市場占據領先地位的三星電子和SK海力士,很可能會將整套工藝改造后直接轉產HBF。其中,SK海力士是閃迪推進HBF標準化的合作方,而三星則憑著自己的實力選擇了單打獨斗。

對于這個新技術催生出的產品,韓國科學技術院(KAIST)的金正浩教授預測,HBF的市場規模將在2038年超過HBM,前景可觀。
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