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在這次內存與存儲漲價大潮中，內存方面領漲的產品是高帶寬內存（HBM），存儲方面領漲的產品則是NAND閃存。那么NAND閃存能像HBM那樣堆疊起來，提供更大的存儲容量嗎？能的，這項技術就是閃迪在去年2月發布的高帶寬閃存（HBF）。

據韓媒Etnews報道，閃迪已經在著手準備生產HBF的材料、組件和設備供應鏈，并搭建生產線。

有業內高層人士表示，閃迪正與相關企業接洽合作事宜，計劃于下半年引進主要生產設備，并稱部分企業已開始商討采購訂單（PO）事宜。預計在同樣今年下半年完成試產線的建設、年底前投入運行并推出原型產品，明年實現量產，而產線的熱門候選地之一是日本。

HBF的核心原理與HBM相似，都是通過堆疊16個3D NAND閃存芯片的方式來實現更大的容量和更強的性能，以此助力AI計算的發展。得益于總體一致的技術，HBF有望媲美HBM的帶寬性能。

在HBF技術路線圖上顯示，初代HBF的系統級性能與“無限容量版”的HBM的差距在2.2%以內，讀取帶寬達1.6TB/s。而后續的2代、3代產品的讀取帶寬將達到2TB/s和3.2TB/s，對應的單疊層容量、能效都有進一步提升。

當下，閃迪、SK海力士、三星等各大存儲生產商陸續投身HBF研發，市場正在關注HBF的性能能否與炙手可熱的HBM相媲美。

由于HBM和HBF的制造工藝沒有顯著差異，所以產線的搭建過程也非常快。業內人士表示，目前在HBM市場占據領先地位的三星電子和SK海力士，很可能會將整套工藝改造后直接轉產HBF。其中，SK海力士是閃迪推進HBF標準化的合作方，而三星則憑著自己的實力選擇了單打獨斗。

對于這個新技術催生出的產品，韓國科學技術院（KAIST）的金正浩教授預測，HBF的市場規模將在2038年超過HBM，前景可觀。