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旗艦處理器發(fā)熱量過大一直都是困擾手機(jī)廠商的難題，甚至?xí)o手機(jī)廠商帶來嚴(yán)重后果。比如當(dāng)年的驍龍810發(fā)熱量過大，間接導(dǎo)致小米Note系列沖高失敗。

有的廠商為了壓住散熱，性能調(diào)校就會相對保守，或者索性給手機(jī)用上主動散熱風(fēng)扇，但這兩種解決方案也會帶來一些副作用，比如會讓手機(jī)變得不夠流暢或者機(jī)身更加厚重。

芯片廠商也一直在探索如何保證性能的前提下，減少芯片發(fā)熱量。根據(jù)爆料，高通預(yù)計(jì)在今年推出的驍龍8 Elite Gen 6以及Gen 6 Pro上采用HPB散熱技術(shù)，讓處理器主頻能夠保底達(dá)到5.0GHz。

HPB是三星研發(fā)的芯片封裝級嵌入式散熱技術(shù)，本質(zhì)上是一塊集成在芯片封裝內(nèi)的高導(dǎo)熱銅制微型散熱模塊，通過重構(gòu)封裝布局，散熱體與處理器核心直接接觸，從源頭上實(shí)現(xiàn)高效導(dǎo)出熱量。

目前三星已經(jīng)在自家的Exynos 2600上采用了HPB技術(shù)，雖然還不知道HPB散熱技術(shù)能夠帶來多少提升，但Exynos 2600在光追等項(xiàng)目上的跑分確實(shí)超越第五代驍龍8至尊版不少，當(dāng)然這其中肯定也少不了2nm工藝制程的功勞。

最近兩年，高通的旗艦芯片并沒有出現(xiàn)像是此前驍龍810、驍龍888那樣發(fā)熱過大的負(fù)面輿論。但是為了發(fā)揮出芯片更強(qiáng)的性能，越來越多手機(jī)廠商開始采用主動散熱風(fēng)扇技術(shù)，比如紅魔、榮耀以及iQOO，據(jù)傳REDMI接下來也將會發(fā)布搭載主動散熱方案的手機(jī)。

雖然主動散熱確實(shí)一定程度上可以讓芯片長時間穩(wěn)定發(fā)揮性能，但也會帶來功耗偏高、機(jī)身加厚增重、噪音、可靠性等問題。如果芯片廠商能夠從源頭更好地解決散熱問題，那么對于手機(jī)廠商以及消費(fèi)者來說無疑是一個好消息。