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半導(dǎo)體領(lǐng)域已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)瓶頸期，似乎這幾年制程進(jìn)步十分地緩慢，此時(shí)就需要廠商去挑選全新的晶體管材料，來(lái)應(yīng)對(duì)未來(lái)的晶體管發(fā)展。目前英特爾就向行業(yè)展示了多款晶體管材料，可以讓漏電率降低到目前的千分之一，為今后的工藝進(jìn)步提供材料上的支持。

據(jù)悉英特爾這一次展示的三種材料分別為鐵電鉿鋯氧化物(HZO)、氧化鈦(TiO)以及鈦酸鍶(STO)，主要用于晶體管中的金屬中間層，英特爾表示這種材料最大的作用就是能夠讓晶體管在持續(xù)不斷地減少體積的同時(shí)還能保持相對(duì)穩(wěn)定的供電。

根據(jù)英特爾提供的參數(shù)，這種新材料能夠讓晶體管的平面電容值提高到每平方微米60-98飛法拉，并且漏電率為目前材料的千分之一，能夠有效地減少由于漏電導(dǎo)致的性能下降的情況。除了晶體管新材料之外，英特爾也在本次大會(huì)上展示了全新的GaN芯粒技術(shù)，用于取代硅的二維材料以及相關(guān)的工藝，此外還與其他的大學(xué)共同研究如何利用全新的技術(shù)來(lái)有效地降低數(shù)據(jù)中心的功耗以及提升AI算力需求。

當(dāng)然這些前沿技術(shù)還處于早期的研究階段，甚至還僅僅停留在提出想法的階段，未來(lái)還需要各個(gè)學(xué)科不斷地進(jìn)步才能將這些尖端技術(shù)落地，預(yù)計(jì)還得要3-5年，對(duì)于消費(fèi)者來(lái)說(shuō)，目前的半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入到了瓶頸期，肯定是希望科學(xué)家能夠盡早突破瓶頸，從而為大家?guī)?lái)性能更加強(qiáng)勁的終端產(chǎn)品。