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正在美國舊金山舉辦的2017閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit 2017）上，三星推出了新一代V-NAND閃存顆粒，容量大幅提升，達(dá)到1Tb（1Terabit）。此外，三星還一同提出了NGSFF（Next Generation Small Form Factor）標(biāo)準(zhǔn)，取代M.2固態(tài)硬盤規(guī)格。

三星新一代V-NAND（垂直堆疊3D NAND）將此前最大的存儲(chǔ)單晶粒512Gb容量直接翻倍，提升到1Tb，而且將用于消費(fèi)級(jí)的產(chǎn)品，三星將要推出的2TB SSD產(chǎn)品會(huì)用上最新的V-NAND，用一顆芯片封裝16個(gè)1Tb的Die，使得整個(gè)SSD產(chǎn)品的體積進(jìn)一步縮小。

也正因?yàn)檫@個(gè)原因，新的產(chǎn)品大小將比傳統(tǒng)M.2接口SSD中最小的2242（NGFF）的電路板設(shè)計(jì)更小，故而三星也提出新的NGSFF（Next Generation Small Form Factor）標(biāo)準(zhǔn)以適應(yīng)需要。