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一夜之間，關于國產內存的利好消息久違地到來了。半導體行業觀察曝料稱：合肥長鑫已正式投片8Gb LPDDR4規格的DRAM芯片。

在今年四月的一次公開活動上，合肥長鑫CEO王寧國表示，計劃將于今年年底前推出8GB DDR4工程樣品，2019年Q3正式推出8GB LPDDR4，當年年底達到2萬片的月產能。如今看來關于LPDDR4芯片的研發正在按步就班地進行中，還有一年的試生產期與計劃節點正好對得上。踏實的研發進度，是比8Gb LPDDR4投片更值得高興的消息。

最近，隨著中國正式啟動對三星、美光、SK海力士等內存三巨頭的反壟斷調查，國產內存也再次成為了受關注的焦點。目前國內DRAM的研發制造方面共分為三大陣營，無論是合肥長鑫、長江存儲還是福建晉華，都基本將量產時間定于2019年上半年。其中DDR4的進度普遍較快，但在應用前景和專利風險都相當可觀的LPDDR4領域，只有合肥長鑫進度最快。

不過，就在昨天，三星宣布了8Gb LPDDR5內存顆粒的正式量產。內存三巨頭在DDR5、GDDR6的技術積累已經基本完成，產業布局也更為成熟。在可以預期的2-3年內，國產內存極有可能會面臨著出生即落后的境遇。而由于制程與產能的雙重落后，國產內存在短期內很難對國際DRAM市場格局造成影響。但從長期來說，國產存儲芯片的大規模投產一定會對市場格局造成沖擊。

國產內存在研發制造方面的突破無疑是一件幸事，而更加可喜的是中國存儲行業的三大陣營正在踏實地達成既定的計劃，讓市場看到巨額投入的價值體現。

但另一方面，國產存儲芯片技術方面的技術劣勢是短期內無法改變的，出生即落后無疑令人喪氣，但卻是事實。我們只能寄希望于中國龐大的市場體量能夠支撐得起國產存儲行業進行持續的技術追趕與超越，以及國家行政力量在各方面的支撐。

國產8Gb LPDDR4投片生產，可喜可賀；國產內存的進取之路，道阻且長。