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在NAND Flash市場行情日漸疲軟的當下，誰能夠先做出技術突破，誰就能大幅提振自身業績、乃至整個行情。

據最新消息，三星宣布了已經開量產第五代96層V-NAND閃存顆粒，在與美光、西數和東芝的競爭中領先一步，率先進入96層時代。

全新的第五代V-NAND相較上代的64層顆粒性能上有著大幅提升。其內部集成了超過850億個3D TLC CTF閃存單元，單模容256Gb（即32GB）。

由于首次采用了Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率最高可達1.4Gbps，比之上代提升了整整40%；其數據寫入速延遲僅為500 微妙，較前代提升了30%，讀取延遲大幅縮短至50微妙。而其工作電壓也從1.8V將至1.2V，能夠降低使用平臺的整體功耗。

三星還透露，未來還將推出QLC V-NAND閃存顆粒，其單模容量達到1Tb（即128GB）。QLC顆粒價格相比TLC更為低廉、容量也更大，被眾多廠家所推崇為SSD的普及產品。

在NAND閃存芯片市場持續走低的當下，三星的突破無疑是一劑強心劑。96層堆疊技術能夠使NAND Flash芯片的價格更為親民，相信大容量SSD的普及在不久之后就會到來。