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三星之前為了對抗英特爾的傲騰內存，打造了Z-NAND閃存，性能可以說碾壓傳統的NAND閃存，此外還可以讓GPU直連Z-NAND閃存，從而獲得更加出色的性能表現，可以說Z-NAND閃存就像是傳統NAND閃存以及DRAM內存之間的過渡體，只不過由于成本等原因，最終Z-NAND閃存夭折，當然傲騰也基本上退出了歷史舞臺，不過現在三星計劃復活Z-NAND閃存，不知道是不是跟火爆的AI有關。

三星在2010年的時候就已經提出了Z-NAND閃存的概念，當時就是為了對抗英特爾的傲騰存儲，作為DRAM內存與NAND閃存之間的過渡體，三星Z-NAND閃存在性能上比當時的SSD速度快了不少，而如今三星也表示希望全新打造的Z-NAND閃存能夠擁有最高15倍的NAND閃存的速度，并且在功耗上也可以降低80%，也就是說Z-NAND閃存的速度或許將會達到幾十甚至上百GB/s。

通過分析發現，三星Z-NAND閃存估計采用的是SLC閃存的技術，因此在速度上能夠比如今的TLC快上很多，此外通過與CPU以及GPU直連從而取得更高的通道帶寬，只不過Z-NAND閃存在成本上更高，并且當時大家對于數據傳輸速度也沒有達到今天這個程度。

只不過現在AI對于算力的需求達到了前所未有的程度，對于存儲設備的速度也提出了更高的要求，這才讓三星重新復活Z-NAND閃存的研發，畢竟這些不差錢的AI廠商需要的正是強大的存儲設備。