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印度科學(xué)家提議開發(fā)“2D Materials”,搶跑進入1nm以下制程

印度科學(xué)家提議開發(fā)“2D Materials”,搶跑進入1nm以下制程

拖把 / 2025-04-21 16:2531603

看到東方大國與西方大國之間的芯片大戰(zhàn)后,另一個害怕落后的東方大國要發(fā)力了!據(jù)印度聯(lián)合新聞社發(fā)布文章稱,印度政府收到了一份開發(fā)“埃米級”芯片的議案,這份議案由印度頂尖研究機構(gòu)印度科學(xué)研究所(IISc)的30名科學(xué)家團隊聯(lián)合發(fā)出,旨在“鞏固印度在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位”。

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當(dāng)前的半導(dǎo)體行業(yè)仍然在“納米級”水平競爭,還未達到1nm水平。而“埃米級”則是比“納米級”還要小一個數(shù)量級,其實現(xiàn)難度可想而知。當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)還是以硅基技術(shù)為主,技術(shù)都掌握在美日韓以及中國臺灣手上,芯片生產(chǎn)則主要集中于臺積電、三星、英特爾等公司,中國大陸則在快速追趕中。但反觀印度,在半導(dǎo)體方面嚴重依賴外國制造。所以,在印度科學(xué)家的議案中稱,他們將開發(fā)一種名為“2D Materials”的技術(shù),可以實現(xiàn)1nm以下芯片的生產(chǎn)。看來印度也是好起來了,都在準備下一賽季的沖刺了。

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至于所謂的“2D材料”是什么,暫時還沒有公布,但是可以從2022年4月同樣來自IISc的項目報告中略知一二。報告中建議用石墨烯和過渡金屬二硫化物(TMD)等超薄材料開發(fā)二維半導(dǎo)體,這個縮寫單詞不太文雅的過渡金屬二硫化物是一類由金屬和硫族元素(如硫、硒或碲)組成的化合物,具有超薄、高導(dǎo)電性、可調(diào)帶隙和光電能力強等特性,在行業(yè)內(nèi)確實是有潛力的材料之一,或許印度科學(xué)家們想要在2D材料”上加以改進,實現(xiàn)彎道超車。

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但是光有材料和路線,卻沒有生產(chǎn)技術(shù)的話,一切都是天方夜譚。目前印度塔塔電子和臺灣力積電合作投資了一筆高達9100億盧比的半導(dǎo)體項目,也是印度目前規(guī)模最大的半導(dǎo)體項目。但是就印度的營商環(huán)境來看,這個項目最后會不會變成割韭菜,或者印度科學(xué)家提出的“2D材料”路線會不會也被印度政府拿來割韭菜,就看各位“辛格專員”們的表現(xiàn)了。


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