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近年來由于顯卡以及CPU運行速度的飛速發(fā)展，游戲幀率也有著巨大的提升，然而大家卻發(fā)現(xiàn)隨著游戲幀率的越來越高，似乎系統(tǒng)的瓶頸也越來越多，除了CPU以及GPU這兩個大頭之外，內(nèi)存似乎也已經(jīng)開始成為瓶頸，玩家對于高頻內(nèi)存的需求正不斷提升。

不過隨著高頻DDR5內(nèi)存的白菜價，這些原本處于廟堂之上的產(chǎn)品現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)入到尋常百姓家，特別是部分內(nèi)存更是和主板廠商合作，打造聯(lián)名款內(nèi)存，通過精挑顆粒以及專屬優(yōu)化來讓內(nèi)存更上一層樓。KLEVV科賦CRAS V ROG聯(lián)名DDR5內(nèi)存就是這樣一款為ROG用戶打造的新一代發(fā)燒級內(nèi)存。

外觀

想要實現(xiàn)內(nèi)存品質(zhì)的優(yōu)秀，優(yōu)秀的元器件顯然是少不了，特別是對于喜歡折騰內(nèi)存的愛好者來說，只有擁有出色的元器件才能讓內(nèi)存的性能壓榨到極致，而KLEVV科賦CRAS V RGB ROG CERTIFIED DDR5內(nèi)存就是這樣一款面向ROG用戶所打造的發(fā)燒級內(nèi)存。

首先是電氣性能，這款內(nèi)存采用了10層的PCB設(shè)計，能夠確保內(nèi)存的電氣達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先的水準(zhǔn)，也能在超頻運行中過濾大量的雜波，讓內(nèi)存運行更加穩(wěn)定。除此之外KLEVV科賦還為這款內(nèi)存配備了2mm厚的鋁合金散熱片，即使全速運行也不會感到卡頓。而“ROG CERTIFIED”的標(biāo)識也說明了這款內(nèi)存通過了ROG認(rèn)證，擁有專屬的加速模式。現(xiàn)在小型機(jī)箱越來越流行，因此這款內(nèi)存也走向了輕薄化，整體高度僅為44mm，因此可以兼容更多的機(jī)箱，不會出現(xiàn)由于內(nèi)存高度過高導(dǎo)致機(jī)箱無法關(guān)閉的窘境。

內(nèi)存的頂部則是RGB燈光，用戶可以讓這款內(nèi)存與華碩ROG主板相互配合，借助華碩Armoury Crate可以實現(xiàn)多種燈光以及特效的展示。

BIOS設(shè)置

在配置選擇上，毫無疑問我們選擇的是ROG的套裝，包括Intel Core i9-14900K，ROG MAXIMUS Z790 HERO主板，以及ROG 龍神III 360 ARGB?Extreme一體式水冷，打造一整套ROG外設(shè)，或許有人會問，為什么不選擇酷睿Ultra 9 285K以及ROG MAXIMUS Z890 HERO主板，原因我們之后會說。

ROG MAXIMUS Z790 HERO BIOS界面

當(dāng)我們安裝內(nèi)存之后，只要你的ROG主板在內(nèi)存兼容列表里面，那么就可以在主板之中尋找到ROG CERTIFIED這個選項，打開這個選項之后就可以選擇通過ROG認(rèn)證的內(nèi)存參數(shù)設(shè)置，其中ROG認(rèn)證的參數(shù)為7400MT/s，此時的時序為CL36-46-46-86。主要是為發(fā)燒級所打造。

ROG MAXIMUS Z890 HERO BIOS界面

然而并不是所有的ROG主板都能夠擁有ROG CERTIFIED選項，例如新發(fā)布的ROG MAXIMUS Z890 HERO主板，我們無法在BIOS上發(fā)現(xiàn)ROG CERTIFIED，也就無法實現(xiàn)官方所設(shè)定的7400MT/s的頻率。不知未來KLEVV科賦是否會為這款內(nèi)存提供更多的主板兼容，來讓ROG CERTIFIED在更多ROG主板上得以應(yīng)用。

實際測試

我們這一次一共測試了三種不同的內(nèi)存頻率，包括默認(rèn)4800MT/s頻率，開啟XMP之后的7200MT/s與在ROG CERTIFIED加持下的7400MT/s的頻率，通過測試發(fā)現(xiàn)，無論是7200MT/s還是7400MT/s都可以穩(wěn)定運行，不會出現(xiàn)突然重啟的狀況。

從AIDA 64的內(nèi)存測試就可以很明顯地看出在不同頻率時候的內(nèi)存帶寬區(qū)別，首先是默認(rèn)DDR5-4800下，此時無論是內(nèi)存時序還是內(nèi)存頻率都遠(yuǎn)不如開啟XMP以及ROG CERTIFIED模式下的性能表現(xiàn)，內(nèi)存讀取僅為75.97GB/s，寫入為68.6GB/s，內(nèi)存復(fù)制為68.84GB/s，時延也到達(dá)了89.5ns，而7200MT/s以及7400MT/s下，內(nèi)存讀取均可以超過100GB/s，內(nèi)存復(fù)制也無限接近100GB/s。

目前能夠充分壓榨內(nèi)存性能的應(yīng)用基本上以解壓縮應(yīng)用為主，因此我們也測試了7-ZIP的性能表現(xiàn)，發(fā)現(xiàn)內(nèi)存頻率對于提升解壓縮速度還是相當(dāng)明顯的，評分從169GIPS提升到186GIPS，甚至等你超頻到7400MT/s的時候，評分達(dá)到214GIPS。當(dāng)然許多用戶購買高頻內(nèi)存最大的作用就是為了能夠取得更好的游戲幀率表現(xiàn)，特別是電競游戲或者3A大作，對于一些內(nèi)存敏感的游戲來說，高頻內(nèi)存顯然能夠取得更好的成績。

可以看到在默認(rèn)頻率下，游戲的平均幀率為204幀，如果將內(nèi)存頻率提升到7200MT/s，那么游戲幀率可以提升到212幀，相當(dāng)于提升了4%，要知道這個提升難度完全沒有，只需要你打開XMP即可實現(xiàn)，讓你輕松實現(xiàn)游戲幀率的提升，當(dāng)然從7200MT/s到7400MT/s就沒有太大的變化，212幀到213幀也算得上是誤差范圍之內(nèi)了。

總結(jié)

從性能上來說，借助精挑細(xì)選的顆粒可以讓KLEVV科賦CRAS V RGB ROG CERTIFIED DDR5內(nèi)存提供十分給力的電氣性能，進(jìn)而在更高的頻率能夠穩(wěn)定運行。除此之外與ROG主板的深度合作也讓ROG用戶有了一個購買這款內(nèi)存的選擇。

當(dāng)然我們這一次主要還是測試基于ROG模式下的內(nèi)存官方超頻，如果大家有條件，可以利用ROG主板實現(xiàn)更高頻率的內(nèi)存運行，從而進(jìn)一步壓榨內(nèi)存的性能。畢竟未來隨著像是GeFore RTX 5090這樣旗艦顯卡的發(fā)布，超高頻內(nèi)存也將成為新的香餑餑，誰都不希望自家的內(nèi)存成為拉后腿的硬件，尤其是現(xiàn)在內(nèi)存白菜價的今天。像KLEVV科賦CRAS V RGB ROG CERTIFIED DDR5內(nèi)存這樣擁有定制模式的發(fā)燒級內(nèi)存也就成為ROG玩家未來更新?lián)Q代的首選。